Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2431 pF @ 50 V |
| Производитель | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 88W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Корпус производителя | 8-PDFN (5x6) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|