XP6P250N

YAGEO XSEMI

XP6P250N

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 25 V
ПроизводительYAGEO XSEMI
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияXP6P250N
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.25W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)