XP3P050AG

YAGEO XSEMI

XP3P050AG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89

В производствеTO-243AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 15 V
ПроизводительYAGEO XSEMI
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияXP3P050A
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.25W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-243AA
Корпус производителяSOT-89

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)