XP3700M

YAGEO XSEMI

XP3700M

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N AND P-CH 30V 7.8A 5.5A

В производстве8-SOICАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 7A, 10V
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 15V
ПроизводительYAGEO XSEMI
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияXP3700
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Механические

Package / Case8-SOIC
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)