Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.8mOhm @ 62.1A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 1000 V |
| Производитель | Wolfspeed, Inc. |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | E |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 17.1mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 104A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 405W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-247-4L |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |