Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1915 pF @ 800 V |
| Производитель | Wolfspeed, Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | Z-FET™ |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tj) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 313mW (Tj) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Die |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|