CCB016M12GM3

Wolfspeed, Inc

CCB016M12GM3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SIC, MODULE, 16M,1200V, 48 MM, G

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.8mOhm @ 50A, 15V
Конфигурация6 N-Channel
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs236nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6700pF @ 1000V
ПроизводительWolfspeed, Inc.
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 23mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tj)
Power - Max10mW

Механические

КорпусTray
Package / CaseModule
Корпус производителяModule

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)