C3M0160120J-TR

Wolfspeed, Inc

C3M0160120J-TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 8.5A, 15V
Базовый Part NumberC3M0160120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds632 pF @ 1000 V
ПроизводительWolfspeed, Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияC3M™
ТехнологияSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 2.33mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность90W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяTO-263-7

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)