Общие
| Capacitance @ Vr, F | 500pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | WeEn Semiconductors |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-220F |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|