WND10P08XQ

WeEn Semiconductors

WND10P08XQ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 800V 10A TO220F

В производствеTO-220-2 Full Pack, Isolated TabАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberWND10
ПроизводительWeEn Semiconductors
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 800 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Корпус производителяTO-220F

Среда

Operating Temperature - Junction150°C