NXPSC08650BJ

WeEn Semiconductors

NXPSC08650BJ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberNXPSC
Capacitance @ Vr, F260pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительWeEn Semiconductors
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr230 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD2PAK

Среда

Operating Temperature - Junction175°C (Max)