NXPSC06650D6J

WeEn Semiconductors

NXPSC06650D6J

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberNXPSC
Capacitance @ Vr, F190pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительWeEn Semiconductors
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 6 A
Current - Average Rectified (Io)6A
Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Operating Temperature - Junction175°C (Max)