BYV29G-600,127

WeEn Semiconductors

BYV29G-600,127

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

В производствеTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBYV29
ПроизводительWeEn Semiconductors
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)60 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)9A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 600 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Корпус производителяTO-262 (I2PAK)

Среда

Operating Temperature - Junction150°C (Max)