BYV10MX-600PQ

WeEn Semiconductors

BYV10MX-600PQ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

В производствеTO-220-2 Full Pack, Isolated TabАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBYV10
ПроизводительWeEn Semiconductors
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Корпус производителяTO-220F

Среда

Operating Temperature - Junction175°C