BYC30WT-600PQ

WeEn Semiconductors

BYC30WT-600PQ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBYC30
ПроизводительWeEn Semiconductors
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)22 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.75 V @ 30 A
Current - Average Rectified (Io)30A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Operating Temperature - Junction175°C (Max)