BYC30-1200PQ

WeEn Semiconductors

BYC30-1200PQ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC

В производствеTO-220-2Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBYC30
ПроизводительWeEn Semiconductors
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)65 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If3.3 V @ 30 A
Current - Average Rectified (Io)30A
Current - Reverse Leakage @ Vr250 µA @ 1200 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-2
Корпус производителяTO-220AC

Среда

Operating Temperature - Junction175°C (Max)