SUP80090E-GE3

Vishay Siliconix

SUP80090E-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3425 pF @ 75 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияThunderFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C128A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность375W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)