SUP50020E-GE3

Vishay Siliconix

SUP50020E-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 30A, 10V
Базовый Part NumberSUP50020
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs128 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность375W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)