SUG80050E-GE3

Vishay Siliconix

SUG80050E-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6250 pF @ 75 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияThunderFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность500W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247AC

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)