Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 24A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | Last Time Buy |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 40 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-252AA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|