SQW61N65EF-GE3

Vishay Siliconix

SQW61N65EF-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 32A, 10V
Базовый Part NumberSQW61
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs344 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7379 pF @ 100 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, E
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность625W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247AD

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)