SQM120N04-1M7L_GE3

Name: SQM120N04-1M7L_GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 30A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14606 pF @ 20 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Серия	TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	375W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителя	TO-263

Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)