SQJQ936E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ936E-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8

В производствеPowerPAK® 8 x 8 DualАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 5A, 10V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600pF @ 25V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Power - Max75W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® 8 x 8 Dual
Корпус производителяPowerPAK® 8 x 8 Dual

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101