SQJQ131EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ131EL-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)

В производствеPowerPAK® 8 x 8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds33050 pF @ 15 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C280A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность600W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101