SQJB60EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

SQJB60EP-T2_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8

В производствеPowerPAK® SO-8 DualАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Power - Max48W (Tc)

Механические

Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
Корпус производителяPowerPAK® SO-8 Dual

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101