SQJA68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA68EP-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L

В производствеPowerPAK® SO-8LАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs92mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 25 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность45W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8L
Корпус производителяPowerPAK® SO-8L

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)