SQJA12EP-T1_GE3

Name: SQJA12EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

В производствеTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3635 pF @ 25 V
Производитель	Vishay Siliconix
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

Напряжение сток-исток	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V

Корпус	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Рабочая температура	-55°C ~ 125°C