SQJ858AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

SQJ858AEP-T1_BE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 14A, 10V
Базовый Part NumberSQJ858
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2450 pF @ 20 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность48W (Tc)

Механические

Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)