Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.6mOhm @ 7.6A, 10V |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1161pF @ 15V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Power - Max | 48W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Корпус производителя | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |