SQJ457EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

SQJ457EP-T2_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3400 pF @ 25 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность68W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)