SQJ422EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

SQJ422EP-T1_BE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 18A, 10V
Базовый Part NumberSQJ422
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4660 pF @ 20 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность83W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)