SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ411EP-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9100 pF @ 6 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность68W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)