SQJ211ELP-T1_GE3

Name: SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 8A, 10V
Базовый Part Number	SQJ211
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3800 pF @ 25 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	68W (Tc)

Рабочая температура	-55°C~175°C(TJ)