SQD70140EL_GE3

Vishay Siliconix

SQD70140EL_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 25 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность71W (Tc)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101