SQA470EEJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQA470EEJ-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70

В производствеPowerPAK® SC-70-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds453 pF @ 20 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.25A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность13.6W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Корпус производителяPowerPAK® SC-70-6

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)