SQA446CEJW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQA446CEJW-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)

В производстве6-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds910 pF @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность13.6W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerVDFN
Корпус производителяPowerPAK®SC-70W-6

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)