SQ3585EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3585EV-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Power - Max1.67W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101