SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2364EES-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 25 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Tc)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101