SQ2361ES-T1_GE3

Name: SQ2361ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	177mOhm @ 2.4A, 10V
Базовый Part Number	SQ2361
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550 pF @ 30 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	2W (Tc)

Корпус	Tape & Reel (TR)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Рабочая температура	-55°C~175°C(TJ)