SQ2325ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2325ES-T1_GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.77Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 50 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C840mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3 (TO-236)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TA)