SIZF928DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZF928DT-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V
Базовый Part NumberSIZF928
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET® Gen IV
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Power - Max3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-PowerPair® (6x5)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)