SIZF5300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZF5300DT-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR

В производстве12-PowerPair™Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.43mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberSIZF5300
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1480pF @ 15V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET® Gen V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 125A (Tc)
Power - Max4.5W (Ta), 56.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerPair™
Корпус производителяPowerPAIR® 3x3FS

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)