SIZ920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ920DT-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

Устаревший8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Базовый Part NumberSIZ920
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260pF @ 15V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииУстаревший
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A
Power - Max39W, 100W

Механические

Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-PowerPair® (6x5)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)