SIZ720DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ720DT-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR

В производстве6-PowerPair™Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Базовый Part NumberSIZ720
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds825pF @ 10V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A
Power - Max27W, 48W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerPair™
Корпус производителя6-PowerPair™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)