SIZ320DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ320DT-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33

Снят с производства8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberSIZ320
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииLast Time Buy
СерияPowerPAIR®, TrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc), 40A (Tc)
Power - Max16.7W, 31W

Механические

Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-Power33 (3x3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)