SIUD412ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIUD412ED-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806

В производствеPowerPAK® 0806Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 500mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds21 pF @ 6 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.25W (Ta)

Механические

Package / CasePowerPAK® 0806
Корпус производителяPowerPAK® 0806

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)