SIUD402ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIUD402ED-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806

В производствеPowerPAK® 0806Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs730mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16 pF @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.25W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 0806
Корпус производителяPowerPAK® 0806

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)