Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.31mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3960 pF @ 15 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® Gen IV |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Корпус производителя | PowerPAK® 1212-8S |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|