SISF04DN-T1-GE3

Name: SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

В производствеPowerPAK® 1212-8SCDАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 7A, 10V
Базовый Part Number	SISF04
Конфигурация	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 15V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Серия	TrenchFET® Gen IV
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta), 108A (Tc)
Power - Max	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® 1212-8SCD
Корпус производителя	PowerPAK® 1212-8SCD

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)