SISA66DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA66DN-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

В производствеPowerPAK® 1212-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3014 pF @ 15 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET® Gen IV
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность52W (Tc)

Механические

Package / CasePowerPAK® 1212-8
Корпус производителяPowerPAK® 1212-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)